金属内を磁束が通過する際、磁束の周囲に磁束を阻止する方向の渦電流が発生します。

その渦電流により対象物が発熱します。

弊社は磁束をコントロールすることにより、局所的に効率よく加熱することができます。

どの程度狭ピッチであるか、熱容量や材質によりますが、銅系の端子であれば１ｍｍピッチでも周辺と十分な温度差をつけてはんだ付け可能です。

半導体への影響がないことは、結論付けております。

トランスは比較的に大きい為、ヘッドの下になることは考えにくいですが、SMDチョークなどはヘッドコアの真下に配置したする場合は検証が必要になります。

非接触による品質向上及び品質安定化。磁気集中IH加熱によるタクトタイム短縮。メンナンス時間短縮による設備稼働率向上等が挙げられます。

IH加熱であるため、急速昇温が可能であり、待機時電力が低い。

局所加熱技術により、対象箇所のみを加熱できる。

高周波IHにより加熱対象物の表面のみを加熱する。

以上より、加熱に不要なエネルギーが少ないため高効率で加熱が可能です

はんだボールの原因は、主にはんだ内部溶剤の過加熱による突沸が原因ですが、IH加熱では、250℃～300℃の範囲でのはんだ付けが可能であり溶剤の突沸を抑えることができます。ハイスピードカメラで撮影した動画がございますので、動画ページをご確認ください。

装置の温度が低いことから安全といえます。

IH加熱は、加熱対象物自体が発熱する方式となります。そのため、装置側の温度は、最大100℃程度と低くなります。また、加熱時のみ出力するため、はんだ付け後は冷却され、数秒以内に60℃以下に低下します。

また、電磁波については、国際ガイドラインに従って電磁波を抑制しており、従来にはない、より安全なはんだ付け環境の提供を実現いたします。